\(C_{1}\)\(\ket{↑}\ \)+\(\ C_{2}\)\(\ket{↓}\ \) ( \(C_{1}\)、\(C_{2}\) は複素数で \(\vert{C_{1}}\vert^2 \) + \(\vert{C_{2}}\vert^2 \) = 1 )
(1)
\( \frac{1}{\sqrt{2}} \)(\(\ \ket{↑}\)\(\ket{↓}\ \)+\(\ \ket{↓}\)\(\ket{↑}\ \))
(2)
(a)量子ドットにTHz光を当てたときに生じる光電流の概念図。電子は光子を吸収すると、下のエネルギー準位(\( \ket{g} \))から上のエネルギー準位(\( \ket{e} \))に励起する。量子ドットの左右にはリード線がつながれていて、電子はポテンシャルの高い障壁を「トンネル効果」によって出入りする。トンネル率に非対称性があるとき( \(Γ^{L}_{g}\) / \(Γ^{R}_{g}\) ≠ \(Γ^{L}_{e}\) / \(Γ^{R}_{e}\) )、電流が生じる。
(b)2個の量子ドットを並べた時の光子の吸収率。量子ドット間の「もつれ合い」がないとき(左図)とあるとき(右図)。光の波長が量子ドット間の距離より十分長い場合、右図のように、光子の吸収によって\(\ \ket{g} \)\(\ket{g}\ \)から「もつれた状態」\(\ket{B}\ \)= (\(\ \ket{e} \)\(\ket{g}\ \)+\(\ \ket{g} \)\(\ket{e}\ \)) / \(\sqrt{2} \ \)が作られる。\(\ket{B}\ \)への遷移率は左図の2倍になり、もう一つの「もつれた状態」\(\ket{D}\ \)= (\(\ \ket{e} \)\(\ket{g}\ \)-\(\ \ket{g} \)\(\ket{e}\ \)) / \(\sqrt{2} \ \)への遷移は禁止される。